casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRT120200
Número da peça de fabricante | MBRT120200 |
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Número da peça futura | FT-MBRT120200 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBRT120200 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 60A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 60A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Three Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Three Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRT120200 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRT120200-FT |
GHXS030A120S-D3
Global Power Technologies Group
GDP48Y060B
Global Power Technologies Group
FST16035
GeneSiC Semiconductor
FST100100
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FST100150
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FST10020
GeneSiC Semiconductor
FST100200
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FST10030
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FST10035
GeneSiC Semiconductor
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XC6SLX9-2TQG144C
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A54SX08A-TQG144I
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EP20K200CF672C9
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5SGXEA5N1F45C1N
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XC6SLX25T-4CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2-35E-5F484C
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10AX115U2F45I2LG
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10AX057K1F35E1SG
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