casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRB30H35CTHE3_A/P

| Número da peça de fabricante | MBRB30H35CTHE3_A/P |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MBRB30H35CTHE3_A/P |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| MBRB30H35CTHE3_A/P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de Diodo | Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
| Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 15A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 80µA @ 35V |
| Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MBRB30H35CTHE3_A/P Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MBRB30H35CTHE3_A/P-FT |

MAD1105E3/TU
Microsemi Corporation

MAD1106E3/TU
Microsemi Corporation

MAD1107E3/TU
Microsemi Corporation

MB20H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB20H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB30H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB30H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR10100CD-E1
Diodes Incorporated

MBR10100CS2-E1
Diodes Incorporated

MBR10100CS2TR-E1
Diodes Incorporated

EPF10K20TC144-4
Intel

LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation

XC7A35T-2FTG256C
Xilinx Inc.

XC2S100-5PQG208C
Xilinx Inc.

XC2V500-4FG456I
Xilinx Inc.

LFE5UM5G-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation

EP1K50FC256-1N
Intel

10M50DCF672C8G
Intel

XC6SLX4-2CSG225I
Xilinx Inc.

EPF10K50VRC240-3N
Intel