casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRB30H35CTHE3_A/P
Número da peça de fabricante | MBRB30H35CTHE3_A/P |
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Número da peça futura | FT-MBRB30H35CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB30H35CTHE3_A/P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 620mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 80µA @ 35V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB30H35CTHE3_A/P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRB30H35CTHE3_A/P-FT |
MAD1105E3/TU
Microsemi Corporation
MAD1106E3/TU
Microsemi Corporation
MAD1107E3/TU
Microsemi Corporation
MB20H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB20H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H90CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB30H90CTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10100CD-E1
Diodes Incorporated
MBR10100CS2-E1
Diodes Incorporated
MBR10100CS2TR-E1
Diodes Incorporated
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel