casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MB30H90CTHE3_A/P
Número da peça de fabricante | MB30H90CTHE3_A/P |
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Número da peça futura | FT-MB30H90CTHE3_A/P |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MB30H90CTHE3_A/P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 90V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 90V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB30H90CTHE3_A/P Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB30H90CTHE3_A/P-FT |
IRKD166/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD166/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD166/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD166/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD166/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD196/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD236/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32-TQG144
Microsemi Corporation
XC5204-6VQ100C
Xilinx Inc.
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
EP4CE22F17I7N
Intel
XCV50-6BG256C
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
XC7A75T-3CSG324E
Xilinx Inc.
A42MX09-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4L
Intel