casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBRB25H35CTHE3_A/I
Número da peça de fabricante | MBRB25H35CTHE3_A/I |
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Número da peça futura | FT-MBRB25H35CTHE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB25H35CTHE3_A/I Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 640mV @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 35V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB25H35CTHE3_A/I Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRB25H35CTHE3_A/I-FT |
MBR10100CDTR-E1
Diodes Incorporated
MBRB10200CT
Diodes Incorporated
MBR2045CTI
Diodes Incorporated
SBRB20100CTT4G
ON Semiconductor
MBR20H100CT-E1
Diodes Incorporated
MBR20H100CT-G1
Diodes Incorporated
SDT10100CT
Diodes Incorporated
SDT10100CTFP
Diodes Incorporated
SDT10A100CTFP
Diodes Incorporated
MBR10200CT-G1
Diodes Incorporated
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel