casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR10200CT-G1
Número da peça de fabricante | MBR10200CT-G1 |
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Número da peça futura | FT-MBR10200CT-G1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR10200CT-G1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 150µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10200CT-G1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR10200CT-G1-FT |
F1857CCD400
Sensata-Crydom
F1842CCD400
Sensata-Crydom
F1827CCD400
Sensata-Crydom
F1842CAD400
Sensata-Crydom
F1842CAD600
Sensata-Crydom
B484F-2
Sensata-Crydom
C3D20060D
Cree/Wolfspeed
C4D10120D
Cree/Wolfspeed
C4D20120D
Cree/Wolfspeed
C4D40120D
Cree/Wolfspeed
5SGSMD6N3F45C2N
Intel
5SGXEA5H1F35C1N
Intel
A54SX08A-1TQ100
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C4
Intel
5CGXBC3B6U15C7N
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EPF10K30RI208-4
Intel
EP20K160EQC208-1X
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EP4SGX360FF35C3N
Intel