casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / MBRB10H45HE3/81

| Número da peça de fabricante | MBRB10H45HE3/81 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-MBRB10H45HE3/81 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101 |
| MBRB10H45HE3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de Diodo | Schottky |
| Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
| Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 20A |
| Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 45V |
| Capacitância @ Vr, F | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
| Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| MBRB10H45HE3/81 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | MBRB10H45HE3/81-FT |

FESB16FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FESB16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FESB16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FESB16GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FESB16HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FESB16JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FESB16JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FESB8AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FESB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FESB8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.

M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation

LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation

AT6003-2AI
Microchip Technology

EP1S20F484I6N
Intel

XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.

AT6003-2JC
Microchip Technology

10AX115S2F45I2LG
Intel

EPF10K100ABC356-3
Intel

EP1C12F324C6
Intel