casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / FESB16FTHE3/81
Número da peça de fabricante | FESB16FTHE3/81 |
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Número da peça futura | FT-FESB16FTHE3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
FESB16FTHE3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Atual - Média Retificada (Io) | 16A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 16A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 300V |
Capacitância @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESB16FTHE3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FESB16FTHE3/81-FT |
20ETF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF10STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS08STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12S
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
20ETS12STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel