casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / MBRB10H35HE3/81
Número da peça de fabricante | MBRB10H35HE3/81 |
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Número da peça futura | FT-MBRB10H35HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB10H35HE3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 35V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 35V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H35HE3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRB10H35HE3/81-FT |
FESB16FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel