casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / MBRB10H100HE3/81
Número da peça de fabricante | MBRB10H100HE3/81 |
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Número da peça futura | FT-MBRB10H100HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBRB10H100HE3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H100HE3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBRB10H100HE3/81-FT |
FESB16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQ80M
Microsemi Corporation
XC4010XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A40MX04-3PL68
Microsemi Corporation
APA600-FG676
Microsemi Corporation
A40MX02-1PQ100
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3LG
Intel