casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR400200CT
Número da peça de fabricante | MBR400200CT |
---|---|
Número da peça futura | FT-MBR400200CT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR400200CT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 200A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR400200CT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR400200CT-FT |
MBRF60060R
GeneSiC Semiconductor
MBRF60080
GeneSiC Semiconductor
MBRF60080R
GeneSiC Semiconductor
MURF10040
GeneSiC Semiconductor
MURF10040R
GeneSiC Semiconductor
MURF10060
GeneSiC Semiconductor
MURF10060R
GeneSiC Semiconductor
MURF20040
GeneSiC Semiconductor
MURF20040R
GeneSiC Semiconductor
MURF20060
GeneSiC Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel