casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MURF20060
Número da peça de fabricante | MURF20060 |
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Número da peça futura | FT-MURF20060 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MURF20060 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 200A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 100A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 75ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | TO-244AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-244AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURF20060 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MURF20060-FT |
MBRF20020R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20030
GeneSiC Semiconductor
MBRF20030R
GeneSiC Semiconductor
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MBRF20035R
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MBRF20060
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A3P1000-2FG256
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APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
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EPF10K30EFC484-2
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5SEE9H40I4N
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XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
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5AGXBA7D4F35C4N
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EP20K200BC356-2
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