casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR120200CTR
Número da peça de fabricante | MBR120200CTR |
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Número da peça futura | FT-MBR120200CTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR120200CTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 60A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 60A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR120200CTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR120200CTR-FT |
MBR400200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR400200CTR
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MPF300TL-FCG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484C7
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10AX027E3F27I2LG
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10M08SCU169A7G
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5SGXMBBR2H43I2LN
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XC7K160T-1FFG676C
Xilinx Inc.
XCKU5P-L1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1
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EP20K200CB356C7
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