casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR120100CTR
Número da peça de fabricante | MBR120100CTR |
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Número da peça futura | FT-MBR120100CTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR120100CTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 120A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 60A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 3mA @ 20V |
Temperatura de funcionamento - junção | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR120100CTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR120100CTR-FT |
MBR30035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR400150CT
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MBR400150CTR
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MBR400200CT
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MBR400200CTR
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MBR40030CTR
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A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
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EPF10K30EFC484-2
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5SEE9H40I4N
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XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
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5AGXBA7D4F35C4N
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EP20K200BC356-2
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