casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / C4D20120D
Número da peça de fabricante | C4D20120D |
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Número da peça futura | FT-C4D20120D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Z-Rec® |
C4D20120D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 16A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C4D20120D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | C4D20120D-FT |
MBR30045CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40035CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40035CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40040CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40040CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTL
GeneSiC Semiconductor
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel