Número da peça de fabricante | MB10S |
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Número da peça futura | FT-MB10S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MB10S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 1kV |
Atual - Média Retificada (Io) | 500mA |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 500mA |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 1000V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 4-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB10S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MB10S-FT |
GBPC2510T
GeneSiC Semiconductor
GBPC3510T
GeneSiC Semiconductor
GBL005
GeneSiC Semiconductor
GBL02
GeneSiC Semiconductor
GBL06
GeneSiC Semiconductor
DB103G
GeneSiC Semiconductor
BR81
GeneSiC Semiconductor
BR62
GeneSiC Semiconductor
DFB25100
ON Semiconductor
DFB2080
ON Semiconductor
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel