Número da peça de fabricante | DB103G |
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Número da peça futura | FT-DB103G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DB103G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Tensão - pico reverso (máximo) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB103G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DB103G-FT |
DMA150YC1600NA
IXYS
VUO190-14NO7
IXYS
VBO13-08NO2
IXYS
VBO13-12NO2
IXYS
VBO13-16NO2
IXYS
FUE30-12N1
IXYS
FBE22-06N1
IXYS
FUS45-0045B
IXYS
FUO22-16N
IXYS
FBO16-12N
IXYS
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel