casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / MA4P1250NM-1072T
Número da peça de fabricante | MA4P1250NM-1072T |
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Número da peça futura | FT-MA4P1250NM-1072T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MA4P1250NM-1072T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 100V |
Corrente - Max | - |
Capacitância @ Vr, F | 1.2pF @ 50V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 750 mOhm @ 50mA, 100MHz |
Dissipação de energia (máx.) | 6W |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Pacote / caso | 2-SMD |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MA4P1250NM-1072T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MA4P1250NM-1072T-FT |
BAP70-02,115
NXP USA Inc.
BAP50-02,115
NXP USA Inc.
BAP65-02,135
NXP USA Inc.
BA277,115
NXP USA Inc.
BA277,135
NXP USA Inc.
BA277,335
NXP USA Inc.
BA278,115
NXP USA Inc.
BAP1321-02,115
NXP USA Inc.
BAP63-02,115
NXP USA Inc.
MADP-007455-12790T
M/A-Com Technology Solutions
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
Intel
5SGXEBBR2H43C2N
Intel
AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel