casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BA277,115
Número da peça de fabricante | BA277,115 |
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Número da peça futura | FT-BA277,115 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BA277,115 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Standard - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 35V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 1.2pF @ 6V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | - |
Dissipação de energia (máx.) | 715mW |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Pacote / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-523 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BA277,115 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BA277,115-FT |
RN262CST2R
Rohm Semiconductor
RN141GT2R
Rohm Semiconductor
RN142GT2R
Rohm Semiconductor
RN262GT2R
Rohm Semiconductor
RN152GT2R
Rohm Semiconductor
RN731VTE-17
Rohm Semiconductor
RN771VTE-17
Rohm Semiconductor
1SS356TW11
Rohm Semiconductor
RN731VFHTE-17
Rohm Semiconductor
RN771VFHTE-17
Rohm Semiconductor
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152I3N
Intel
XC2VP4-5FFG672C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19I7N
Intel
10AX090N3F45I2LG
Intel
EP2AGX45DF29I5N
Intel
EP2C5Q208C7
Intel