casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M95010-WMN6TP
Número da peça de fabricante | M95010-WMN6TP |
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Número da peça futura | FT-M95010-WMN6TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M95010-WMN6TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 1Kb (128 x 8) |
Freqüência do relógio | 20MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | - |
Interface de memória | SPI |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M95010-WMN6TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M95010-WMN6TP-FT |
TH58BYG2S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NYG3S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58CYG0S3HQAIE
Toshiba Memory America, Inc.
70V5388S100BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S100BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S133BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S133BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BG
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BG8
IDT, Integrated Device Technology Inc
70V5388S166BGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel