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Toshiba Memory America, Inc. TH58BYG2S3HBAI6

Name: TH58BYG2S3HBAI6
Brand: Toshiba Memory America, Inc.
SKU: TH58BYG2S3HBAI6
Price: 4.928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (752 reviews)

Número da peça MFG: TH58BYG2S3HBAI6

Quantidade disponível: 27830 Peças

Preço de referência: USD 4.928

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Toshiba Memory America, Inc.

Descrição breve: Benand™ IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Memória

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: TH58BYG2S3HBAI6.pdf

TH58BYG2S3HBAI6 Especificações

Número da peça de fabricante	TH58BYG2S3HBAI6
Número da peça futura	FT-TH58BYG2S3HBAI6
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Benand™
TH58BYG2S3HBAI6 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo de memória	Non-Volatile
Formato de memória	FLASH
Tecnologia	FLASH - NAND (SLC)
Tamanho da memória	4Gb (512M x 8)
Freqüência do relógio	-
Escrever tempo de ciclo - Word, página	25ns
Tempo de acesso	25ns
Interface de memória	Parallel
Tensão - fonte	1.7V ~ 1.95V
Temperatura de operação	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote / caso	67-VFBGA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	67-VFBGA (6.5x8)
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TH58BYG2S3HBAI6 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	TH58BYG2S3HBAI6-FT

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