casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / M5060THC600
Número da peça de fabricante | M5060THC600 |
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Número da peça futura | FT-M5060THC600 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M5060THC600 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 3 Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 60A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 60A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M5060THC600 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M5060THC600-FT |
MBR60030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR60035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR60035CTR
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MBR60045CT
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MBR60060CT
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MBR60080CT
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MBR30020CTL
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A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
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EPF10K30EFC484-2
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5SEE9H40I4N
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XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
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5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel