casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / MBR60060CTR
Número da peça de fabricante | MBR60060CTR |
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Número da peça futura | FT-MBR60060CTR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
MBR60060CTR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 300A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 300A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1mA @ 20V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Twin Tower |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Twin Tower |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR60060CTR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | MBR60060CTR-FT |
MBR2X100A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X100A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A060
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A080
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A120
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A150
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A180
GeneSiC Semiconductor
MBR2X120A200
GeneSiC Semiconductor
MBR2X160A080
GeneSiC Semiconductor
XC3S50A-4FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-6900C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60CF484I4
Intel
EP4CE10F17C6N
Intel
5SGXMB6R3F40I3LN
Intel
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2FGG144I
Microsemi Corporation
A42MX16-PQG100
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation