casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M29W512GH7AN6E
Número da peça de fabricante | M29W512GH7AN6E |
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Número da peça futura | FT-M29W512GH7AN6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M29W512GH7AN6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 512Mb (64M x 8, 32M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 56-TSOP (14x20) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W512GH7AN6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M29W512GH7AN6E-FT |
S34MS02G104BHV013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200BHI000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200BHV000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G200BHV003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS02G204BHI013
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G100BHI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS04G200BHA000
Cypress Semiconductor Corp
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel