casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / S34MS02G200BHI003
Número da peça de fabricante | S34MS02G200BHI003 |
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Número da peça futura | FT-S34MS02G200BHI003 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | MS-2 |
S34MS02G200BHI003 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Last Time Buy |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Tamanho da memória | 2Gb (256M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 45ns |
Tempo de acesso | 45ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 63-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 63-BGA (11x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S34MS02G200BHI003 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | S34MS02G200BHI003-FT |
S34ML01G100BHB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML01G100BHI003
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S34ML01G100BHV000
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S34ML01G100BHV003
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S34ML01G200BHA000
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S34ML01G200BHA003
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S34ML01G200BHB000
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S34ML01G200BHB003
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S34ML01G200BHI003
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