casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M24C16-RMN6P

| Número da peça de fabricante | M24C16-RMN6P |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-M24C16-RMN6P |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| M24C16-RMN6P Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de memória | Non-Volatile |
| Formato de memória | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
| Freqüência do relógio | 400kHz |
| Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
| Tempo de acesso | 900ns |
| Interface de memória | I²C |
| Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| M24C16-RMN6P Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | M24C16-RMN6P-FT |

THGBMHG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG6C1LBAWL
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG7C2LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG8C4LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG9C4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.

THGBMHG9C8LBAWG
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.

LFE2-12SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation

XC2VP40-6FGG676C
Xilinx Inc.

XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.

XC3S700A-4FGG484I
Xilinx Inc.

M1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation

A42MX09-VQ100M
Microsemi Corporation

5SGXMA7K3F40C2
Intel

5SGSMD4E2H29C2L
Intel

LFE2-35E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-7000ZE-1FG484C
Lattice Semiconductor Corporation