casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M24C16-DRMN8TP/K
Número da peça de fabricante | M24C16-DRMN8TP/K |
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Número da peça futura | FT-M24C16-DRMN8TP/K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
M24C16-DRMN8TP/K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | 1MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 4ms |
Tempo de acesso | 450ns |
Interface de memória | I²C |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C16-DRMN8TP/K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M24C16-DRMN8TP/K-FT |
THGBMHG6C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIT
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG8C2LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG6C1LBAWL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG8C4LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG9C4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG9C8LBAWG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel