casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M24C02-DRMN8TP/K
Número da peça de fabricante | M24C02-DRMN8TP/K |
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Número da peça futura | FT-M24C02-DRMN8TP/K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
M24C02-DRMN8TP/K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 2Kb (256 x 8) |
Freqüência do relógio | 1MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 4ms |
Tempo de acesso | 450ns |
Interface de memória | I²C |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24C02-DRMN8TP/K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M24C02-DRMN8TP/K-FT |
TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
EPF10K30ATI144-3N
Intel
A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED6N3F45I4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
A40MX04-FPL84
Microsemi Corporation
LFXP6C-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL150F780I3N
Intel