casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / TC58NYG2S0HBAI6
Número da peça de fabricante | TC58NYG2S0HBAI6 |
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Número da peça futura | FT-TC58NYG2S0HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TC58NYG2S0HBAI6 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 25ns |
Tempo de acesso | 25ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 67-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 67-VFBGA (6.5x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58NYG2S0HBAI6 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TC58NYG2S0HBAI6-FT |
W25Q32FVTCIP
Winbond Electronics
W25Q32FVTCIP TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJF
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJF TR
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJQ
Winbond Electronics
W25Q32FVTCJQ TR
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIF
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIG
Winbond Electronics
W25Q64FVTCIP
Winbond Electronics
W25Q64FVTCJQ
Winbond Electronics
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
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10AX016E3F27E1HG
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EP20K60EFC324-2
Intel