casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / TC58NYG2S0HBAI6
Número da peça de fabricante | TC58NYG2S0HBAI6 |
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Número da peça futura | FT-TC58NYG2S0HBAI6 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
TC58NYG2S0HBAI6 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND (SLC) |
Tamanho da memória | 4Gb (512M x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 25ns |
Tempo de acesso | 25ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 1.7V ~ 1.95V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 67-VFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 67-VFBGA (6.5x8) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TC58NYG2S0HBAI6 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TC58NYG2S0HBAI6-FT |
W25Q32FVTCIP
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W25Q32FVTCIP TR
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W25Q32FVTCJF
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W25Q32FVTCJF TR
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W25Q32FVTCJQ
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W25Q32FVTCJQ TR
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