casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M24512-DRMN8TP/K
Número da peça de fabricante | M24512-DRMN8TP/K |
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Número da peça futura | FT-M24512-DRMN8TP/K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
M24512-DRMN8TP/K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 512Kb (64K x 8) |
Freqüência do relógio | 1MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 4ms |
Tempo de acesso | 450ns |
Interface de memória | I²C |
Tensão - fonte | 1.8V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24512-DRMN8TP/K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M24512-DRMN8TP/K-FT |
TC58NVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NYG2S0HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI6
Toshiba Memory America, Inc.