casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / LSIC1MO120E0120
Número da peça de fabricante | LSIC1MO120E0120 |
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Número da peça futura | FT-LSIC1MO120E0120 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
LSIC1MO120E0120 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 1200V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 14A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 7mA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 20V |
Vgs (máx.) | +22V, -6V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1125pF @ 800V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 139W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-3 |
Pacote / caso | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LSIC1MO120E0120 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LSIC1MO120E0120-FT |
2N6790
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