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Microsemi Corporation 2N6849

Número da peça MFG
2N6849
Quantidade disponível
77880 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Microsemi Corporation
Descrição breve
- MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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2N6849 Especificações

Número da peça de fabricante 2N6849
Número da peça futura FT-2N6849
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
2N6849 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 34.8nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 800mW (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-39
Pacote / caso TO-205AF Metal Can
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2N6849 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição 2N6849-FT

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