casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LQW18AS33NJ0ZD
Número da peça de fabricante | LQW18AS33NJ0ZD |
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Número da peça futura | FT-LQW18AS33NJ0ZD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LQW18 |
LQW18AS33NJ0ZD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 33nH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 600mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 220 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 250MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 2.3GHz |
Classificações | AEC-Q200 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 250MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AS33NJ0ZD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQW18AS33NJ0ZD-FT |
LQW18AN4N9G8ZD
Murata Electronics North America
LQW18AN51NG8ZD
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
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