casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LQW18AN51NG8ZD
Número da peça de fabricante | LQW18AN51NG8ZD |
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Número da peça futura | FT-LQW18AN51NG8ZD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LQW18 |
LQW18AN51NG8ZD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 51nH |
Tolerância | ±2% |
Classificação atual | 830mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 230 mOhm Max |
Q @ Freq | 32 @ 200MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 2.7GHz |
Classificações | AEC-Q200 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AN51NG8ZD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQW18AN51NG8ZD-FT |
LQW18AS47NJ0ZD
Murata Electronics North America
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Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
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Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel