casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LBR2012T470M
Número da peça de fabricante | LBR2012T470M |
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Número da peça futura | FT-LBR2012T470M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LB, R Type |
LBR2012T470M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 47µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 75mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1.7 Ohm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 11MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 2.52MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.057" (1.45mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBR2012T470M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LBR2012T470M-FT |
LBM2016T2R2JV
Taiyo Yuden
LBM2016T2R7JV
Taiyo Yuden
LBM2016T330J
Taiyo Yuden
LBM2016T330JV
Taiyo Yuden
LBM2016T390J
Taiyo Yuden
LBM2016T390JV
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LBM2016T3R3J
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LBM2016T3R3JV
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LBM2016T3R9J
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LBM2016T3R9JV
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LFE2-6SE-7TN144C
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A3P125-1TQG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX45-3FG484C
Xilinx Inc.
XC7A75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AFS600-1FG484K
Microsemi Corporation
LFE2M70SE-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290KF43I4
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
LFE3-70EA-9FN484C
Lattice Semiconductor Corporation