casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LBM2016T2R7JV
Número da peça de fabricante | LBM2016T2R7JV |
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Número da peça futura | FT-LBM2016T2R7JV |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LB, M Type |
LBM2016T2R7JV Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 2.7µH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 310mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 767 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 55MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LBM2016T2R7JV Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LBM2016T2R7JV-FT |
LBM2016T101J
Taiyo Yuden
LBM2016T1R5J
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CKP20161R0M-T
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CKP20161R5M-T
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CKP20162R2M-T
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Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel