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Número da peça de fabricante | LAL04TB1R2M |
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Número da peça futura | FT-LAL04TB1R2M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL04TB1R2M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 880mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 210 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 144MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL04TB1R2M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL04TB1R2M-FT |
LAL04NA121K
Taiyo Yuden
LAL04NA150K
Taiyo Yuden
LAL04NA151K
Taiyo Yuden
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LCMXO2-1200ZE-3TG144I
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LCMXO2-4000HE-6TG144I
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MPF300TL-FCG484E
Microsemi Corporation
MPF300TS-FCG484I
Microsemi Corporation
EP2C50F484C8N
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CSG281
Microsemi Corporation
AGL400V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX090N3F40E2LG
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EP20K400EBC652-1XD
Intel