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Número da peça de fabricante | LAL04NA181K |
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Número da peça futura | FT-LAL04NA181K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL04NA181K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 180µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 165mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 4.6 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 796kHz |
Freqüência - auto-ressonante | 3.3MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 796kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL04NA181K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL04NA181K-FT |
LAL03TBR82M
Taiyo Yuden
LAL03VB100K
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel