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Número da peça de fabricante | LAL04NA2R2M |
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Número da peça futura | FT-LAL04NA2R2M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL04NA2R2M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 750mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 55 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 110MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL04NA2R2M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL04NA2R2M-FT |
LAL03VB181K
Taiyo Yuden
LAL03VB1R0M
Taiyo Yuden
LAL03VB1R2M
Taiyo Yuden
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LAL03VB2R2M
Taiyo Yuden
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel