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Número da peça de fabricante | LAL03VB1R5M |
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Número da peça futura | FT-LAL03VB1R5M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL03VB1R5M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1.5µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 250mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 131MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03VB1R5M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL03VB1R5M-FT |
LAL03TA121K
Taiyo Yuden
LAL03TA150K
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Xilinx Inc.
A42MX09-3TQG176I
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A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F324I7N
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EPF10K200SRC240-3
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