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Número da peça de fabricante | LAL04KBR33M |
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Número da peça futura | FT-LAL04KBR33M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL04KBR33M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 330nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.28A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 250MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL04KBR33M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL04KBR33M-FT |
LAL03TB5R6K
Taiyo Yuden
LAL03TB680K
Taiyo Yuden
LAL03TB681K
Taiyo Yuden
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LAL03TBR33M
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ICE40HX1K-VQ100
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XCKU095-1FFVC1517I
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XC3S200-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
APA300-FGG256A
Microsemi Corporation
APA600-FGG256A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152I4N
Intel
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