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Número da peça de fabricante | LAL03TBR33M |
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Número da peça futura | FT-LAL03TBR33M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL03TBR33M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 330nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 370mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 480 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 360MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03TBR33M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL03TBR33M-FT |
LAL03NA821K
Taiyo Yuden
LAL03NA8R2K
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LAL03NAR22M
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LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC208-2XN
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