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Número da peça de fabricante | LAL03KHR27M |
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Número da peça futura | FT-LAL03KHR27M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL03KHR27M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 270nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 380mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 430 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 410MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03KHR27M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL03KHR27M-FT |
LAL02VA221K
Taiyo Yuden
LAL02VA270K
Taiyo Yuden
LAL02VA2R2K
Taiyo Yuden
LAL02VA2R7K
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LAL02VA3R3K
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LAL02VA470K
Taiyo Yuden
LAL02VA4R7K
Taiyo Yuden
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation