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Número da peça de fabricante | LAL02VD3R3K |
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Número da peça futura | FT-LAL02VD3R3K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL02VD3R3K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 210mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 40 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 38MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.091" Dia x 0.134" L (2.30mm x 3.40mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL02VD3R3K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL02VD3R3K-FT |
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Taiyo Yuden
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XC2VP70-6FF1517I
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Microsemi Corporation
LFE2-70E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
A10V20B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP20K200CF484C7
Intel
EP4SE820H40I4
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
XC4013XL-3BG256I
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6016QC208-3
Intel