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Número da peça de fabricante | LAL02NAR82K |
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Número da peça futura | FT-LAL02NAR82K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL02NAR82K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 820nH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 290mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 740 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 170MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.091" Dia x 0.134" L (2.30mm x 3.40mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL02NAR82K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL02NAR82K-FT |
IRF03SH391K
Vishay Dale
IRF03SH470J
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IRF03SH470K
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IRF03SH560K
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IRF03SH561K
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IRF03SH5R6K
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IRF03SH680K
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IRF03SH6R8K
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LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel