casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / L0603C2N7SRMST
Número da peça de fabricante | L0603C2N7SRMST |
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Número da peça futura | FT-L0603C2N7SRMST |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | L-RMS |
L0603C2N7SRMST Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ceramic |
Indutância | 2.7nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 300mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 100 mOhm Max |
Q @ Freq | 13 @ 100MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 11GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.032" W (1.60mm x 0.81mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.028" (0.71mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L0603C2N7SRMST Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | L0603C2N7SRMST-FT |
TYS252012L150M-10
Laird-Signal Integrity Products
TYS252012L2R2M-10
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TYS252012L3R3M-10
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TYS252012L4R7M-10
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TYS252012L6R8M-10
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TYS252012LR47N-10
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CPI0806J4R7R-10
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XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel