casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / TYS252012L4R7M-10
Número da peça de fabricante | TYS252012L4R7M-10 |
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Número da peça futura | FT-TYS252012L4R7M-10 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | TYS252012L |
TYS252012L4R7M-10 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 840mA |
Atual - saturação | 1.12A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 348 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 47MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TYS252012L4R7M-10 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | TYS252012L4R7M-10-FT |
LQP02HQ4N3H02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ4N3H02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ4N3J02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ4N3J02L
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LQP02HQ4N7H02L
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LQP02HQ4N7J02L
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LQP02HQ5N1H02E
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LQP02HQ5N1H02L
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XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
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