casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / F1T2GHA0G
Número da peça de fabricante | F1T2GHA0G |
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Número da peça futura | FT-F1T2GHA0G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
F1T2GHA0G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 150ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitância @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | T-18, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TS-1 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1T2GHA0G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | F1T2GHA0G-FT |
EM 1ZV0
Sanken
EM 2
Sanken
EM 2A
Sanken
EM 2AV
Sanken
EM 2AV0
Sanken
EM 2B
Sanken
EM 2BV
Sanken
EM 2BV0
Sanken
EM 2V
Sanken
EM 2V0
Sanken
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel