casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JAN2N4150S
Número da peça de fabricante | JAN2N4150S |
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Número da peça futura | FT-JAN2N4150S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/394 |
JAN2N4150S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 10A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 70V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 1A, 10A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 5A, 5V |
Potência - Max | 1W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-39 (TO-205AD) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N4150S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN2N4150S-FT |
JAN2N3500
Microsemi Corporation
JAN2N3500L
Microsemi Corporation
JAN2N3635
Microsemi Corporation
JAN2N3635L
Microsemi Corporation
JAN2N3635UB
Microsemi Corporation
JAN2N3637
Microsemi Corporation
JAN2N3637L
Microsemi Corporation
JAN2N3637UB
Microsemi Corporation
JAN2N3737UB
Microsemi Corporation
JAN2N4033UB
Microsemi Corporation
XCV600-5FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP3C120F484I7
Intel
EP1K10FI256-2
Intel
5SGXEA5K3F40I4N
Intel
10M40DAF672I7G
Intel
XC5VSX95T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation