casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JAN2N3637L
Número da peça de fabricante | JAN2N3637L |
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Número da peça futura | FT-JAN2N3637L |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/357 |
JAN2N3637L Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | PNP |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 1A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 175V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Potência - Max | 1W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-205AA, TO-5-3 Metal Can |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-5 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3637L Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN2N3637L-FT |
2SB1649
Sanken
2SC4300
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LFE2M35E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation