casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / JAN2N3997
Número da peça de fabricante | JAN2N3997 |
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Número da peça futura | FT-JAN2N3997 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Military, MIL-PRF-19500/374 |
JAN2N3997 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 10A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 80V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 500mA, 5A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 10µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 1A, 2V |
Potência - Max | 2W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Tipo de montagem | Stud Mount |
Pacote / caso | TO-111-4, Stud |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-111 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
JAN2N3997 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | JAN2N3997-FT |
JAN2N3498L
Microsemi Corporation
JAN2N3499
Microsemi Corporation
JAN2N3499L
Microsemi Corporation
JAN2N3500
Microsemi Corporation
JAN2N3500L
Microsemi Corporation
JAN2N3635
Microsemi Corporation
JAN2N3635L
Microsemi Corporation
JAN2N3635UB
Microsemi Corporation
JAN2N3637
Microsemi Corporation
JAN2N3637L
Microsemi Corporation
XA7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C8LN
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
EP3SE110F1152C2N
Intel
XCS10XL-5PC84C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C7
Intel